12インチウェハ研磨用FO光学研磨粉末
FO光学研磨粉末は、12インチ半導体ウェーハの超微細平坦化加工に特化して最適化された高精度複合研磨剤です。改良型アルミナとジルコニアの複合配合を採用し、均一な粒子分布、適度で安定した硬度、優れたスラリー懸濁性を備え、大型ウェーハの厳しいCMP研磨要件に完璧に適合します。
本製品は、12インチシリコンウェハ、ガリウムヒ素、インジウムリンなどの化合物半導体ウェハの全工程における精密研磨に専門的に使用されます。表面の微細欠陥、切削痕、不均一な層を効果的に除去し、微細な傷、ピット、表面応力残留物を発生させません。超平滑な表面平坦化を実現し、大口径ウェハの平面度、平行度、および全体的な歩留まりを大幅に向上させます。
安定したバッチ品質と制御可能な材料除去率を備え、12インチウェハーの自動大量生産に適しています。輸入高級研磨粉の代替品として最適で、粒子径のカスタマイズにも対応します。半導体製造、光電子チップ基板加工などの高精度な用途に最適で、大型ウェハー生産におけるコスト効率が高く信頼性の高いコア研磨材です。
物理的特性および化学組成 %-FO 12インチウェーハ研磨用光学研磨粉末
| アイテム | サイズ | 比重c（g/cm3） | 化学薬品（％） | ||||
| Al2O3 | SiO2 | Fe2O3 | 二酸化チタン | ZrO2 | |||
| FO | #800～#1200 | ≥3.90 | ≥45.0 | ≤20.0 | ≤0.5 | ≤2.0 | ≤33.0 |
| #1500～#3000 | ≥3.90 | ≥40.5 | ≤20.0 | ≤0.7 | ≤2.0 | ≤33.0 | |
12インチウェーハ研磨用FO光学研磨粉末のPSD（粒度分布）
| サイズ | D0 | D3 | D50 | D94 |
| #800 | ≤32.0 | ≤27.0 | 11.3±0.9 | 6.5以上 |
| #1000 | ≤27.0 | ≤23.0 | 9.4±0.8 | ≥5.0 |
| #1200 | ≤23.0 | ≤20.0 | 7.1±0.7 | ≥4.0 |
| #1500 | ≤19.0 | ≤17.0 | 5.5±0.5 | ≥3.0 |
| #2000 | ≤15.0 | ≤14.0 | 4.5±0.4 | ≥2.0 |
| #3000 | ≤12.0 | ≤11.0 | 3.6±0.4 | ≥1.5 |
FO光学微粉末の主な用途
半導体ウェハーの研削および研磨
各種光学ガラスの表面仕上げ
光学結晶のレンズ、プリズム、ミラー、フィルターなどの研削および研磨。
圧電材料の表面仕上げ
FO光学微粉末の包装
10kg入りPVC袋＋パレット
